
電源
3.3V器件(AFND1G08U3)2.7V?3.6V
組織
存儲(chǔ)單元陣列:(128M + 4M)x 8位
數(shù)據(jù)寄存器:(2048 + 64)x 8位
自動(dòng)編程和擦除
頁面程序:(2048 + 64)x 8位
塊擦除:(128K + 4K)x 8位= 64頁
頁面讀取操作
頁面大?。海?048 + 64)x 8位
隨機(jī)存取:25us(最大)
串行頁面訪問:25ns(最?。?/p>
快速寫周期
編程時(shí)間:200us(Typ。)
塊擦除時(shí)間:2ms(Typ。)CopyBack PROGRAM Operation
快速頁面復(fù)制,無需外部緩沖
狀態(tài)寄存器
正常狀態(tài)寄存器(讀/編程/擦除)
安全功能
OTP區(qū)域,16KB(8頁)
硬件數(shù)據(jù)保護(hù)
電源轉(zhuǎn)換期間編程/擦除被鎖定
數(shù)據(jù)的完整性
耐用性:100K編程/擦除周期(具有1bit / 528byte ECC)
數(shù)據(jù)保留期:10年
包
AFND1G08U3:無鉛封裝
48pin TSOP(12 x 20 / 0.5毫米間距
48球FBGA:9.0 x 9.0 x 1.0mm
48球FBGA:6.5 x 8.0 x 1.0mm
工作溫度
商業(yè):0°C?70°C
工業(yè)溫度:40°C?85°C
AFND1G08U3是1G位,具有32Mbit的備用容量。該器件采用3.3V電源供電。其NAND單元為固態(tài)海量存儲(chǔ)市場(chǎng)提供了最具成本效益的解決方案。存儲(chǔ)器分為可獨(dú)立擦除的塊,因此可以在擦除舊數(shù)據(jù)的同時(shí)保留有效數(shù)據(jù)。該器件包含1024個(gè)塊,由64頁組成,由16個(gè)串聯(lián)閃存單元的兩個(gè)NAND結(jié)構(gòu)組成??梢栽?048字節(jié)上以典型200us的速度執(zhí)行編程操作,在128K字節(jié)塊上以2ms的典型時(shí)間執(zhí)行擦除操作。頁面中的數(shù)據(jù)可以每個(gè)字節(jié)25ns的循環(huán)時(shí)間讀取。I / O引腳用作地址和數(shù)據(jù)輸入/輸出以及命令輸入的端口。使用/ CE,/ WE,ALE和CLE輸入引腳同步引入命令,數(shù)據(jù)和地址。每次操作期間,輸出引腳R / B(漏極開路緩沖器)發(fā)出信號(hào)以指示設(shè)備狀態(tài)。在具有多個(gè)存儲(chǔ)器的系統(tǒng)中,R / B引腳可以全部連接在一起以提供全局狀態(tài)信號(hào)。片上寫控制可自動(dòng)執(zhí)行所有編程和擦除功能,包括在需要時(shí)進(jìn)行脈沖重復(fù)以及內(nèi)部驗(yàn)證和數(shù)據(jù)余量處理。通過為ECC(錯(cuò)誤校正碼)提供實(shí)時(shí)映射輸出算法,即使是寫密集型系統(tǒng)也可以利用AFND1G08U3擴(kuò)展的100K編程/擦除周期可靠性。片上寫控制可自動(dòng)執(zhí)行所有編程和擦除功能,包括在需要時(shí)進(jìn)行脈沖重復(fù)以及內(nèi)部驗(yàn)證和數(shù)據(jù)余量處理。通過為ECC(錯(cuò)誤校正碼)提供實(shí)時(shí)映射輸出算法,即使是寫密集型系統(tǒng)也可以利用AFND1G08U3擴(kuò)展的100K編程/擦除周期可靠性。片上寫控制可自動(dòng)執(zhí)行所有編程和擦除功能,包括在需要時(shí)進(jìn)行脈沖重復(fù)以及內(nèi)部驗(yàn)證和數(shù)據(jù)余量處理。通過為ECC(錯(cuò)誤校正碼)提供實(shí)時(shí)映射輸出算法,即使是寫密集型系統(tǒng)也可以利用AFND1G08U3擴(kuò)展的100K編程/擦除周期可靠性。
該芯片可以提供/ CE無關(guān)功能。該功能允許微控制器從NAND閃存設(shè)備直接下載代碼,因?yàn)? CE轉(zhuǎn)換不會(huì)停止讀取操作。
回寫功能可以優(yōu)化缺陷塊管理:當(dāng)頁面編程操作失敗時(shí),可以將數(shù)據(jù)直接編程在同一數(shù)組部分內(nèi)的另一個(gè)頁面中,而無需耗時(shí)的串行數(shù)據(jù)插入階段。此外,該設(shè)備還包括其他功能,例如OTP區(qū)域,阻止機(jī)制。
AFND1G08U3是大型非易失性存儲(chǔ)應(yīng)用(例如固態(tài)文件存儲(chǔ)和其他需要非易失性的便攜式應(yīng)用)的最佳解決方案。




| 引腳名稱 | 引腳功能 |
| I/O0?I/O7 | 數(shù)據(jù)輸入/輸出 I/O引腳用于輸入命令,地址和數(shù)據(jù),并在讀取操作期間輸出數(shù)據(jù)。取消選擇芯片或禁用輸出時(shí),I/O引腳懸空至高阻z。 |
| CLE | 命令閂鎖使能 CLE輸入控制發(fā)送到命令寄存器的命令的激活路徑。當(dāng)高電平有效時(shí),命令在/ WE信號(hào)的上升沿通過I/O端口鎖存到命令寄存器中。 |
| ALE | 地址鎖存使能 ALE輸入控制地址到內(nèi)部地址寄存器的激活路徑。地址在ALE高電平時(shí)鎖存在/ WE的上升沿 |
| /CE | 芯片使能 /CE輸入是設(shè)備選擇控件。當(dāng)設(shè)備處于繁忙狀態(tài)時(shí),/CE高電平將被忽略,并且在編程或擦除操作中設(shè)備不會(huì)返回待機(jī)模式。關(guān)于讀取操作期間的/CE控制,請(qǐng)參見設(shè)備操作的“頁面讀取”部分。 |
| /RE | READ ENABLE /RE輸入是串行數(shù)據(jù)輸出控件,激活時(shí)將數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)到I/O總線上。數(shù)據(jù)在/RE下降沿之后有效tREA,這也會(huì)使內(nèi)部列地址計(jì)數(shù)器加1。 |
| /WE | 寫入使能 /WE輸入控件寫入I/O端口。命令,地址和數(shù)據(jù)在/WE脈沖的上升沿鎖存。 |
| /WP | 寫保護(hù) /WP引腳在電源轉(zhuǎn)換期間提供了意外的寫/擦除保護(hù)。/WP引腳為低電平有效時(shí),內(nèi)部高壓發(fā)生器復(fù)位。 |
| R/B | READY / BUSY輸出 R/B輸出指示設(shè)備操作的狀態(tài)。為低時(shí),表示正在進(jìn)行擦除隨機(jī)讀取操作的程序,并在完成時(shí)返回高狀態(tài)。它是開漏輸出,當(dāng)取消選擇芯片或禁用輸出時(shí),它不會(huì)浮到高阻狀態(tài)。 |
| Vcc | 電源 Vcc是設(shè)備的電源。 |
| VS | 地面 |
| N.C | 無連接 導(dǎo)線未在內(nèi)部連接。 |


| I/O 0 | I/O 0 | I/O 0 | I/O 0 | I/O 0 | I/O 0 | I/O 0 | I/O 0 | ||
| 1st Cycle | A0 | A1 | A2 | A3 | A4 | A5 | A6 | A7 | Column Address |
| 2nd Cycle | A8 | A9 | A10 | A11 | *L | *L | *L | *L | Column Address |
| 3rd Cycle | A12 | A13 | A14 | A15 | A16 | A17 | A18 | A19 | Row Address |
| 4th Cycle | A20 | A21 | A22 | A23 | A24 | A25 | A26 | A27 | (Page Address) |
請(qǐng)至在線留言中,告訴我們您所需要的產(chǎn)品和其他相關(guān)信息,我們會(huì)盡快將資料及產(chǎn)品發(fā)給您!
電源轉(zhuǎn)換: 升壓芯片、 降壓芯片、 LDO、 背光驅(qū)動(dòng)
電源管理: 鋰電池充電管理、 鋰電池保護(hù)、 QC快充協(xié)議、 OVP/OCP、 電壓檢測(cè)、 復(fù)位芯片、 PMU、 顯示屏電源芯片、 MOSFET、 ESD
馬達(dá)驅(qū)動(dòng): 步進(jìn)電機(jī)/無刷&有刷
其它芯片: 運(yùn)算放大器、 OSD