ATO-SPI NAND FLASH-ATO25D1GA-1Gbit 3.3v
產(chǎn)品功能（一般）
串行外設(shè)接口
模式0和模式3
標(biāo)準(zhǔn)，四路SPI
標(biāo)準(zhǔn)SPI：SCLK，CS＃，SI，SO
四路SPI：SCLK，CS＃，SIO0，SIO1，SIO2 / W＃，SIO3 / Hold＃
單電源供電
全電壓范圍：2.7V至3.6V的讀取，擦除和編程操作
組織
存儲單元陣列：（128M + 4M）x字節(jié)
數(shù)據(jù)寄存器：（2048 + 64）x字節(jié)
自動(dòng)編程和擦除
頁面程序：（2048 + 64）x字節(jié)
塊擦除：（128K + 4K）x字節(jié)= 64頁
頁面讀取操作
頁面大?。海?048 + 64）字節(jié)
頁面讀?。▎卧嚵械巾撁婢彌_區(qū)）：25us（最大）
串行頁面訪問：104MHz，133MHz（CL = 15pF）
快速寫周期
編程時(shí)間：200us（Typ。）
塊擦除時(shí)間：2ms（典型值）
電子識別
JEDEC標(biāo)準(zhǔn)1字節(jié)制造商ID和1字節(jié)設(shè)備ID復(fù)制返回程序操作
快速頁面復(fù)制，無需外部緩沖
安全功能
OTP區(qū)域，16K字節(jié)（8頁）
硬件數(shù)據(jù)保護(hù)
編程/擦除在電源轉(zhuǎn)換期間被鎖定。
W＃引腳與狀態(tài)寄存器位配合使用，以保護(hù)指定的存儲區(qū)。狀態(tài)寄存器中的狀態(tài)寄存器塊保護(hù)位（BP2，BP1，BP0）將部分存儲器配置為只讀
數(shù)據(jù)的完整性
耐久性：100K編程/擦除周期
數(shù)據(jù)保留期：10年
錯(cuò)誤管理
內(nèi)部ECC代碼生成
1bit / 528byte ECC，1NOP / 528byte
封裝
8pad 8x6 WSON
16pin SOIC 3億
一般說明
ATO25D1GA是1G位，具有32Mbit的備用容量。該器件采用3.3V電源供電。其NAND單元為固態(tài)海量存儲市場提供了最具成本效益的解決方案。存儲器分為可獨(dú)立擦除的塊，因此可以在擦除舊數(shù)據(jù)的同時(shí)保留有效數(shù)據(jù)。該器件包含1024個(gè)塊，由64頁組成，由32個(gè)串聯(lián)的閃存單元的兩個(gè)NAND結(jié)構(gòu)組成?？梢栽?048字節(jié)上以典型200us的速度執(zhí)行編程操作，在128K字節(jié)塊上以2ms的典型時(shí)間執(zhí)行擦除操作。頁面中的數(shù)據(jù)可以每個(gè)字節(jié)25ns的循環(huán)時(shí)間讀取。片上寫控制可自動(dòng)執(zhí)行所有編程和擦除功能，包括在需要時(shí)進(jìn)行脈沖重復(fù)以及內(nèi)部驗(yàn)證和數(shù)據(jù)余量處理。
ATO25D1GA具有串行外設(shè)接口和軟件協(xié)議，可在單I / O模式下在簡單的3線總線上運(yùn)行。這三個(gè)信號是時(shí)鐘輸入（SCLK），串行數(shù)據(jù)輸入（SI）和串行數(shù)據(jù)輸出（SO）。通過CS＃輸入啟用對設(shè)備的串行訪問。當(dāng)處于四個(gè)I / O讀取模式時(shí)，SI引腳，SO引腳，WP＃引腳和HOLD＃引腳變?yōu)镾IO0引腳，SIO1引腳，SIO2引腳和SIO3引腳，用于地址/虛擬位輸入和數(shù)據(jù)輸出?；貙懝δ芸梢詢?yōu)化缺陷塊管理：當(dāng)頁面編程操作失敗時(shí)，可以將數(shù)據(jù)直接編程在同一數(shù)組部分內(nèi)的另一個(gè)頁面中，而無需耗時(shí)的串行數(shù)據(jù)插入階段。
發(fā)出編程/擦除命令后，將執(zhí)行自動(dòng)編程/擦除算法，以編程/擦除并驗(yàn)證指定的頁面或扇區(qū)/塊位置。一次最多可以編程2 KB?？梢砸?28KB擦除的組擦除頁面。為了給用戶提供方便的接口，其中包括一個(gè)狀態(tài)寄存器以指示芯片的狀態(tài)。可以通過OIP位發(fā)出狀態(tài)讀取命令以檢測編程的完成狀態(tài)或擦除操作。高級安全功能增強(qiáng)了保護(hù)和安全功能，請參閱安全功能部分以了解更多詳細(xì)信息。
ATO25D1GA通過16KB（8頁）安全OTP支持JEDEC標(biāo)準(zhǔn)制造商和設(shè)備識別。
邏輯圖
信號名稱
| 信號名稱 | 功能 | 方向 |
| 時(shí)鐘 | 串行時(shí)鐘 | 輸入項(xiàng) |
| SI（SIO0） | 串行數(shù)據(jù)輸入（用于1 I / O） 串行數(shù)據(jù)輸入和 輸出（用于4 I / O） | 輸入輸出 |
| SO（SIO1） | 串行數(shù)據(jù)輸出（用于1 I / O） 串行數(shù)據(jù)輸入和 輸出（用于4 I / O） | 輸入輸出 |
| CS＃ | 片選 | 輸入項(xiàng) |
| 保持＃（SIO3） | 保持 串行數(shù)據(jù)輸入和輸出（用于4 I / O） | 輸入輸出 |
| VCC | 3.3V電源電壓 | |
| 地線 | 地面 |
焊盤
信號說明
串行數(shù)據(jù)輸出（SO）-SIO1
此輸出信號用于將數(shù)據(jù)串行傳輸出設(shè)備。在所有讀取模式下，數(shù)據(jù)在串行時(shí)鐘（SCLK）的下降沿移出。另外，當(dāng)器件處于四線模式時(shí)，此引腳（SO）用于SIO1
串行數(shù)據(jù)輸入（SI）-SIO0
此輸入信號用于將數(shù)據(jù)串行傳輸?shù)皆O(shè)備中。它接收指令，地址和要編程的數(shù)據(jù)。值在串行時(shí)鐘（SCLK）的上升沿鎖存。此外，當(dāng)器件處于四線模式時(shí)，此引腳（SI）用于SIO0
串行時(shí)鐘（SCLK）
此輸入信號提供串行接口的時(shí)序。串行數(shù)據(jù)輸入（SI）上存在的指令，地址或數(shù)據(jù)在串行時(shí)鐘（SCLK）的上升沿被鎖存。串行數(shù)據(jù)輸出（SO）上的數(shù)據(jù)在串行時(shí)鐘（SCLK）的下降沿之后發(fā)生變化。
片選（CS＃）
當(dāng)此輸入信號為高電平時(shí)，該設(shè)備被取消選擇，并且串行數(shù)據(jù)輸出引腳處于高阻態(tài)。除非正在進(jìn)行內(nèi)部編程，擦除或?qū)懭霠顟B(tài)寄存器循環(huán)，否則器件將處于待機(jī)模式（這不是深度掉電模式）。將芯片驅(qū)動(dòng)選擇為低（CS＃）使能該設(shè)備，使其處于有功功率模式。
上電后，在開始任何指令之前，都需要片選（CS＃）的下降沿。
Hold（HOLD＃）-SIO3
Hold（HOLD＃）信號用于暫停與設(shè)備的任何串行通信，而無需取消選擇設(shè)備。
在保持條件期間，串行數(shù)據(jù)輸出（SO）為高阻抗，而串行數(shù)據(jù)輸入（SI）和串行時(shí)鐘（SCLK）不在乎。
要啟動(dòng)保持條件，必須在片選（CS＃）驅(qū)動(dòng)為低電平的情況下選擇器件。同樣，當(dāng)狀態(tài)寄存器的QE位設(shè)置為“高”時(shí)，Hold＃功能不可用，該引腳在四模式下用于SIO3。
寫保護(hù)（W＃）-SIO2
此輸入信號的主要目的是凍結(jié)受編程或擦除指令保護(hù)的內(nèi)存區(qū)域的大?。ㄓ蔂顟B(tài)的BP2，BP1和BP0位中的值指定）寄存器）。
像Hold＃引腳一樣，當(dāng)狀態(tài)寄存器的QE位設(shè)置為“高”時(shí)，W＃功能也將不可用，并且該引腳在四模式下用于SIO2。
內(nèi)存組織
| Main Array(2,048 Bytes) | Spare Array(64 Bytes) | |||||||
| Area | 1 | 2 | 3 | 4 | 1 | 2 | 3 | 4 |
| Column Address | 000h | 200h | 400h | 600h | 800h | 810h | 820h | 830h |
| 1FFh | 3FFh | 5FFh | 7FFh | 80Fh | 81Fh | 82Fh | 83Fh | |
機(jī)械封裝
| SYMBOL | MILLIMETERS | ||
| MIN. | NOM. | MAX. | |
| A | 0.70 | 0.75 | 0.80 |
| A1 | 0.00 | 0.02 | 0.05 |
| A3 | 0.20 REF. | ||
| b | 0.55 | 0.60 | 0.65 |
| D | 5.90 | 6.00 | 6.10 |
| E | 7.90 | 8.00 | 8.10 |
| e | 1.27 BSC | ||
| L | 1.90 | 1.95 | 2.00 |
| K | 0.20 | - | - |
| PAD SIZE | E2 | D2 | ||||
| MIN. | NOM. | MAX. | MIN. | NOM. | MAX. | |
| 3.35 | 3.40 | 3.45 | 4.25 | 4.30 | 4.35 | |
| SYMBOL | MILLIMETERS | INCHIES | ||
| MIN | MAX | MIN | MAX | |
| A | 2.36 | 2.64 | 0.093 | 0.104 |
| A1 | 0.10 | 0.30 | 0.005 | 0.012 |
| b | 0.33 | 0.51 | 0.013 | 0.020 |
| C | 0.18 | 0.28 | 0.007 | 0.000 |
| D(3) | 10.08 | 10.49 | 0.397 | 0.413 |
| E | 10.01 | 10.64 | 0.394 | 0.419 |
| E1(3) | 7.39 | 7.59 | 0.291 | 0.299 |
| e(2) | 1.27BSC | 0.050 | ||
| L | 0.39 | 1.27 | 0.015 | 0.050 |
| θ | 0o | 8o | 0o | 8o |
| y | --- | 0.076 | --- | 0.003 |
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研尚產(chǎn)品可提供的部分產(chǎn)品列表
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電源轉(zhuǎn)換： 升壓芯片、 降壓芯片、 LDO、 背光驅(qū)動(dòng)
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電源管理： 鋰電池充電管理、 鋰電池保護(hù)、 QC快充協(xié)議、 OVP/OCP、 電壓檢測、 復(fù)位芯片、 PMU、 顯示屏電源芯片、 MOSFET、 ESD
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馬達(dá)驅(qū)動(dòng)： 步進(jìn)電機(jī)/無刷&有刷
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其它芯片： 運(yùn)算放大器、 OSD
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