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ATO NAND FLASH：AFND1208S1

產(chǎn)品詳細

ATO-SLC NAND FLASH-AFND1208S1-512Mbit

512Mbit（64Mx8Bit） NAND FLASH

功能概要

電源

1.8V器件（AFND1208S1）1.7V?1.95V

組織

存儲單元陣列：（64M + 2M）x 8位
數(shù)據(jù)寄存器：（512 + 16）x 8位

自動編程和擦除

頁面程序：（512 + 16）Bytes
塊擦除：（16K +512）Bytes

頁面讀取操作

頁面大?。海?12 + 16）Bytes
隨機存?。?5us（最大）
串行頁面訪問：50ns（最?。?/p>

快速寫周期

編程時間：200us（Typ。）
塊擦除時間：2ms（Typ。）CopyBack PROGRAM Operation
快速頁面復(fù)制，無需外部緩沖

命令寄存器操作

安全功能

OTP區(qū)域，16KB（32頁）

硬件數(shù)據(jù)保護

電源轉(zhuǎn)換期間編程/擦除被鎖定

數(shù)據(jù)的完整性

耐用性：100K編程/擦除周期（具有1bit /528byte ECC）
數(shù)據(jù)保留期：10年

封裝

AFND1208S1：無鉛封裝

48pin TSOP（12 x 20 /0.5毫米間距
48Ball FBGA：9.0 x 9.0 x 1.0mm

工作溫度

商業(yè)：0°C?70°C
工業(yè)溫度：40°C?85°C

一般說明

AFND1208S1為512Mbit，具有16Mbit的備用容量。該器件采用1.8V電源供電。

其NAND單元為固態(tài)海量存儲市場提供了最具成本效益的解決方案。

可以在528字節(jié)上以200us典型值執(zhí)行編程操作，在16K字節(jié)塊上以2ms典型值執(zhí)行擦除操作。頁面中的數(shù)據(jù)可以每個字節(jié)50ns的循環(huán)時間讀取。 I/O引腳用作地址和數(shù)據(jù)輸入/輸出以及命令輸入的端口。使用/CE，/WE，ALE和CLE輸入引腳同步引入命令，數(shù)據(jù)和地址。每次操作期間，輸出引腳R /B（漏極開路緩沖器）發(fā)出信號以指示設(shè)備狀態(tài)。在具有多個存儲器的系統(tǒng)中，R /B引腳可以全部連接在一起以提供全局狀態(tài)信號。片上寫控制可自動執(zhí)行所有編程和擦除功能，包括在需要時進行脈沖重復(fù)以及內(nèi)部驗證和數(shù)據(jù)余量處理。通過為ECC（糾錯碼）提供實時映射輸出算法，即使是寫密集型系統(tǒng)也可以利用AFND1208S1擴展的100K編程/擦除周期可靠性。

該芯片可以提供/CE無關(guān)功能。該功能允許微控制器從NAND閃存設(shè)備直接下載代碼，因為/CE轉(zhuǎn)換不會停止讀取操作。

回寫功能可以優(yōu)化缺陷塊管理：當(dāng)頁面編程操作失敗時，可以將數(shù)據(jù)直接編程在同一數(shù)組部分內(nèi)的另一個頁面中，而無需耗時的串行數(shù)據(jù)插入階段。此外，此設(shè)備還包括其他功能，例如OTP區(qū)域。

AFND1208S1是大型非易失性存儲應(yīng)用（例如固態(tài)文件存儲和其他需要非易失性的便攜式應(yīng)用）的最佳解決方案。

引腳配置（TSOP1）

封裝尺寸

48引腳無鉛/無鉛塑料薄型小型外形封裝類型（I）

引腳配置（48ball-FBGA）

包裝外形圖（48ball-FBGA 9x9mm）

引腳說明

引腳名稱	引腳功能
I/O0?I/O7	數(shù)據(jù)輸入/輸出 I/O引腳用于輸入命令，地址和數(shù)據(jù)，并在讀取操作期間輸出數(shù)據(jù)。取消選擇芯片或禁用輸出時，I/O引腳懸空至高阻z。
CLE	命令閂鎖使能 CLE輸入控制發(fā)送到命令寄存器的命令的激活路徑。當(dāng)高電平有效時，命令在/WE信號的上升沿通過I/O端口鎖存到命令寄存器中。
ALE	地址鎖存使能 ALE輸入控制地址到內(nèi)部地址寄存器的激活路徑。地址在ALE高電平時鎖存在/WE的上升沿
/CE	芯片使能 /CE輸入是設(shè)備選擇控件。當(dāng)設(shè)備處于繁忙狀態(tài)時，/CE高電平將被忽略，并且在編程或擦除操作中設(shè)備不會返回待機模式。關(guān)于讀取操作期間的/CE控制，請參見設(shè)備操作的“頁面讀取”部分。
/RE	READ ENABLE /RE輸入是串行數(shù)據(jù)輸出控件，激活時將數(shù)據(jù)驅(qū)動到I/O總線上。數(shù)據(jù)在/RE下降沿之后有效tREA，這也會使內(nèi)部列地址計數(shù)器加1。
/WE	寫入使能 /WE輸入控件寫入I/O端口。命令，地址和數(shù)據(jù)在/WE脈沖的上升沿鎖存。
/WP	寫保護 /WP引腳在電源轉(zhuǎn)換期間提供了意外的寫/擦除保護。/WP引腳為低電平有效時，內(nèi)部高壓發(fā)生器復(fù)位。
R /B	READY /BUSY輸出 R /B輸出指示設(shè)備操作的狀態(tài)。為低時，表示正在進行擦除隨機讀取操作的程序，并在完成時返回高狀態(tài)。它是開漏輸出，當(dāng)取消選擇芯片或禁用輸出時，它不會浮到高阻狀態(tài)。
Vcc	電源 Vcc是設(shè)備的電源。
VS	地面
N.C	無連接導(dǎo)線未在內(nèi)部連接。

AFND1208S1功能框圖

AFND1208S1陣列組織

	I/O 0	I/O 0	I/O 0	I/O 0	I/O 0	I/O 0	I/O 0	I/O 0
1st Cycle	A0	A1	A2	A3	A4	A5	A6	A7	Column Address
2nd Cycle	A9	A10	A11	A12	A13	A14	A15	A16	Row Address
3rd Cycle	A17	A18	A19	A20	A21	A22	A23	A24	(Page Address)
4th Cycle	A25	*L	*L	*L	*L	*L	*L	*L

512Mbit（32Mx16Bit） NAND FLASH

功能概要

電源

1.8V器件（AFND1216S1）1.7V?1.95V

組織

存儲單元陣列：（32M + 1M）x 16位
數(shù)據(jù)寄存器：（256 + 8）x 16位

自動編程和擦除

頁面程序：（256 + 8）個單詞
塊擦除：（8K + 256）個字

頁面讀取操作

頁面大?。海?56 + 8）個字
隨機存?。?5us（最大）
串行頁面訪問：50ns（最小）

快速寫周期

編程時間：200us（Typ。）
塊擦除時間：2ms（Typ。）CopyBack PROGRAM Operation
快速頁面復(fù)制，無需外部緩沖

命令寄存器操作

安全功能

OTP區(qū)域，8K字（32頁）

硬件數(shù)據(jù)保護

電源轉(zhuǎn)換期間編程/擦除被鎖定

數(shù)據(jù)的完整性

耐用性：100K編程/擦除周期具有1bit /264Words ECC）
數(shù)據(jù)保留期：10年

封裝

AFND1216S1：無鉛封裝
48pin TSOP（12 x 20 /0.5毫米間距）
48Ball FBGA：9.0 x 9.0 x 1.0mm

工作溫度

商業(yè)：0°C?70°C
工業(yè)溫度：40°C?85°C

一般說明

AFND1216S1為512Mbit，備用容量為8Mbit。該器件采用1.8V電源供電。

其NAND單元為固態(tài)海量存儲市場提供了最具成本效益的解決方案。

可以在264Words上典型地以200us執(zhí)行編程操作，而在8KWords塊上典型地以2ms執(zhí)行擦除操作。每個字可以以50ns的循環(huán)時間讀取頁面中的數(shù)據(jù)。 I/O引腳用作地址和數(shù)據(jù)輸入/輸出以及命令輸入的端口。使用/CE，/WE，ALE和CLE輸入引腳同步引入命令，數(shù)據(jù)和地址。每次操作期間，輸出引腳R /B（漏極開路緩沖器）發(fā)出信號以指示設(shè)備狀態(tài)。在具有多個存儲器的系統(tǒng)中，R /B引腳可以全部連接在一起以提供全局狀態(tài)信號。片上寫控制可自動執(zhí)行所有編程和擦除功能，包括在需要時進行脈沖重復(fù)以及內(nèi)部驗證和數(shù)據(jù)余量處理。通過為ECC（糾錯碼）提供實時映射算法，即使是寫密集型系統(tǒng)也可以利用AFND1216S1擴展的100K編程/擦除周期可靠性。

該芯片可以提供/CE無關(guān)功能。該功能允許微控制器從NAND閃存設(shè)備直接下載代碼，因為/CE轉(zhuǎn)換不會停止讀取操作。

AFND1216S1是大型非易失性存儲應(yīng)用（如固態(tài)文件存儲和其他要求非易失性的便攜式應(yīng)用）的最佳解決方案。